Samsung a introdus oficial un cip DRAM LPDDR8 de 5 GB pentru smartphone-uri. Potrivit companiei, acesta este primul cip LPDDR8 de 5 GB realizat cu tehnologie etichetată ca Clasa 10 nm, care poate fi orice între 10 și 19 nm. Predecesorul, adică cipul LPDDR8 de 4 GB, a fost deja produs în 2014, așa că era doar o chestiune de timp până când gigantul sud-coreean a venit cu o inovație.
Samsung afirmă că LPDDR5 va găsi aplicații în principal în domeniile 5G, auto și dispozitive mobile care folosesc inteligența artificială. Cu o rată de transfer de 6 Mbps, cipul DRAM LPDDR400 de 8 GB este de 5 ori mai rapid decât cipurile DRAM mobile utilizate în flagship-urile actuale. Galaxy S9 are un cip LPDDR4X cu o rată de date de 4 Mbps. LPDDR266 poate trimite 5 GB de date pe secundă, adică aproximativ 51,2 fișiere video HD.
Samsung va oferi atât o versiune cu debit complet la o tensiune de 1,1 V, cât și o versiune mai slabă și mai economică de 5 Mb/s la 500 V. LPDDR1,05 va oferi și un mod de repaus profund (Somn adanc), ceea ce va reduce aproximativ la jumătate consumul de energie al DRAM-urilor LPDDR4X actuale. Samsung susține că cu noul cip poate reduce consumul de energie cu până la 30%, prelungind astfel durata de viață a bateriilor smartphone-urilor.
Probabil cipul încă u Galaxy Note9 nu va apărea, dar probabil îl va primi anul viitor Galaxy S10.
