Închide anunțul

20nm-4Gb-DDR3-03Samsung Electronics a anunțat că tocmai a început producția în masă de noi module RAM LPDDR6 de 3Gb pentru dispozitive mobile. Compania va produce noi memorii operaționale cu ajutorul unui proces de producție de 20 nm, care se va reflecta într-un consum mai mic de energie cu 10% și o creștere a performanței cu până la 30%. Fiecare pin al acestor module de memorie are o viteză de transfer de 2,133 Mb/s.

Cipurile sunt și ele mai mici cu 20% față de modulele anterioare, dacă luăm în calcul un set de patru module de memorie unul lângă altul. Un set de patru module de memorie este astfel capabil să ofere telefonului 3 GB de RAM, fiecare modul de memorie oferind o memorie de 768 MB. Aici se poate observa că Samsung are probabil și mai mult timp să se trezească la limita high-end de 3 GB de RAM și abia cândva la sfârșitul anului viitor vom putea începe să fantezim despre faptul că mobilul nostru telefoanele au aceeași cantitate de memorie de operare care se găsește în computerele noastre.

// 20nm-4Gb-DDR3-01

//

*Sursă: Sammyhub

Cel mai citit de azi

.